【技术概述】

电输运测量是表征固态材料电子行为的核心手段。通过分析载流子在不同温度、磁场及栅压下的散射机制，研究人员可以深入探索二维材料、超导材料及拓扑量子器件的物理特性。

由于输运信号通常极其微弱且易受环境噪声干扰，系统普遍采用 “交流激励 + 锁相放大器同步检测” 方案，以实现极高的信噪比。

【核心功能与技术优势】

直流+交流一体化，内置灵活的偏置源

OE2012 不仅是信号采集终端，更是高度集成的信号源。其内部信号源支持 DC 偏置电压的自由配置：

▲ 栅极控制：内部 DC 偏置可直接作为器件的栅压，无需额外增添昂贵的源表。

▲ 偏置依赖性研究：在一根信号线上同时叠加 AC 激励与 DC 偏置，简化了非线性输运和电导微分（dI/dV）的测试接线。

全频段测量，从直流（DC）到高频

突破了传统锁相放大器仅能测量交流信号的局限，OE2012 支持直接测量 DC 信号。

▲ 同步表征：在同一个实验序列中，既能获取交流解调下的高信噪比数据，也能同步监测系统的直流背景电流或静态电势。

▲ 全谱覆盖：满足从极低频超导转变测量到高频载流子动力学研究的全谱段需求。

OE2012 采用对称的双通道输入结构，可单机实现多物理量同步获取。

▲ 效率翻倍：同时采集纵向电压 V_xx 与霍尔电压 V_xy，无需第二台锁相放大器，显著降低系统复杂度和成本。

【典型测量配置】

二端子测量 （2-Terminal）

▲ 应用场景：高阻器件（纳米线、碳纳米管、光电器件）。

▲ 测量方式：利用内部信号源施加交流电压（叠加 DC 栅压），测量微小电流。

四端子测量 （4-Terminal）

▲ 应用场景：低阻材料、超导薄膜或低磁阻测量。

▲ 测量方式：恒流激励下测量样品两端压降，有效消除接触电阻与导线电阻影响。

【典型应用领域】

▲ 二维材料：石墨烯、TMDs 的载流子迁移率与能带调控表征。

▲ 量子物理：量子点单电子输运、量子霍尔效应及拓扑态探测。

▲ 超导与磁学：超导转变温度 T_c 测量及各向异性磁阻研究。

▲ 新型器件：忆阻器动力学分析、光热电图像加密器件表征。